2018 Kakovostni kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - Visokokakovostna zasnova dušilnih kondenzatorjev IGBT za visokozmogljive aplikacije – CRE

Kratek opis:

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Povezani video

Povratne informacije (2)

S popolnim znanstvenim sistemom vodenja kakovosti, dobro kakovostjo in dobro vero si pridobivamo dober ugled in to področje zasedamo žeMetaliziran filmski kondenzator za celični proliferator , Mikrofaradni filmski kondenzator , PFC kondenzatorIskreno vabimo prijatelje, da se pogajajo o podjetju in začnejo sodelovanje. Upamo, da se bomo združili s prijatelji iz različnih panog, da bi ustvarili izjemno predvidljivo prihodnost.

2018 Kakovostni kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - Visokokakovostna zasnova dušilnih kondenzatorjev IGBT za visokozmogljive aplikacije – Podrobnosti CRE:

Tehnični podatki

Delovno temperaturno območje	Maks. delovna temperatura, zgornja, maks.: +105 ℃ Temperatura zgornje kategorije: +85 ℃ Temperatura nižje kategorije: -40℃
območje kapacitivnosti	0,1 μF～5,6 μF
Nazivna napetost	700 V enosmerne napetosti ~ 3000 V enosmerne napetosti
Kap.tol	±5 % (J); ±10 % (K)
Odporna napetost	1,5 Un DC/10S
Faktor disipacije	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Izolacijska upornost	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (pri 20 ℃ 100 V DC 60 S) C＞0,33 μF RS*C≥5000S (pri 20 ℃ 100 V DC 60S)
Odpornost na udarni tok	glejte podatkovni list
Zaviranje gorenja	UL94V-0
Pričakovana življenjska doba	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Referenčni standard	IEC61071; GB/T17702;

Tabela specifikacij

Napetost	Un 700 V DC, Urms 400 V AC; Us 1050 V
	Dimenzija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 40℃ pri 100 kHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4,7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380	28
6,8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2,8	30	200	1600	33
Napetost	Un 1000 V DC, Urms 500 V AC; Us 1500 V
	Dimenzija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4,7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2,8	24	400	2240	32
Napetost	Un 1200 V DC, Urms 550 V AC; Us 1800 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800	30
4,7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32
Napetost	Un 1700 V DC, Urms 575 V AC; Us 2250 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3,8	26	600	1980	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32
Napetost	Un 2000 V DC, Urms 700 V AC; Us 3000 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32
Napetost	Un 3000 V DC, Urms 750 V AC; Us 4500 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Slike s podrobnostmi o izdelku:

Vodnik po povezanih izdelkih:

Vztrajamo pri načelu razvoja »Visoke kakovosti, zmogljivosti, iskrenosti in prizemljenega delovnega pristopa«, da vam zagotovimo izjemne storitve obdelave za leto 2018 Visokokakovostni močnostni kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - Visokokakovostna zasnova IGBT dušilnih kondenzatorjev za visokozmogljive aplikacije – CRE. Izdelek bo dobavljan po vsem svetu, kot so: Gvajana, Armenija, Irak. Osredotočamo se na zagotavljanje storitev za naše stranke kot ključni element pri krepitvi naših dolgoročnih odnosov. Naša stalna razpoložljivost visokokakovostnih izdelkov v kombinaciji z odlično predprodajno in poprodajno storitvijo zagotavlja močno konkurenčnost na vse bolj globaliziranem trgu.

Filmski kondenzator izmeničnega toka