Močnostni kondenzatorji dobre kakovosti 2018 za filtriranje izmeničnega toka - Visokokakovostna zasnova IGBT dušilnega kondenzatorja za aplikacije z visoko močjo - CRE

Kratek opis:

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Sorodni video

Povratne informacije (2)

Odvisni smo od močne tehnične sile in nenehno ustvarjamo sofisticirane tehnologije, da zadostimo povpraševanjuAC kondenzator za izboljšanje kakovosti in zanesljivosti električne energije , Kondenzator za defibrilator , Uporaba filmskega kondenzatorja za pretvornik za shranjevanje energijeVerjamemo, da boste zadovoljni z našo razumno ceno, visoko kakovostnimi izdelki in hitro dostavo.Iskreno upamo, da nam boste lahko dali priložnost, da vam ustrežemo in postanemo vaš najboljši partner!

Močnostni kondenzatorji dobre kakovosti 2018 za filtriranje izmeničnega toka - Visokokakovostna zasnova IGBT dušilnega kondenzatorja za aplikacije z visoko močjo - Podrobnosti CRE:

Tehnični podatki

Delovno temperaturno območje	Najvišja delovna temperatura, zgoraj, največ: +105 ℃ Temperatura višje kategorije: +85 ℃ Temperatura nižje kategorije: -40 ℃
območje kapacitivnosti	0,1μF～5,6μF
Nazivna napetost	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Prenosna napetost	1,5 Un DC/10S
Faktor disipacije	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Izolacijska upornost	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (pri 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (pri 20℃ 100V.DC 60S)
Vzdrži udarni tok	glej podatkovni list
Zaviranje gorenja	UL94V-0
Pričakovana življenjska doba	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Referenčni standard	IEC61071;GB/T17702;

Tabela specifikacij

Napetost	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Dimenzija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
Napetost	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Dimenzija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Napetost	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
Napetost	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
Napetost	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
Napetost	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Slike podrobnosti izdelka:

Vodnik po povezanih izdelkih:

Vztrajamo pri ponudbi visokokakovostnega ustvarjanja z vrhunskim konceptom poslovnega podjetja, poštenim prihodkom ter najboljšo in hitro storitvijo.prinesel vam ne bo samo visokokakovostne rešitve in ogromnega dobička, ampak je v bistvu najpomembnejše običajno zasesti neskončni trg za leto 2018. Kakovostni napajalni kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - Visokokakovostna zasnova IGBT dušilnega kondenzatorja za aplikacije z visoko močjo - CRE, Izdelek bo dobavljen po vsem svetu, kot so: Slovaška, Gruzija, Ukrajina. Naši izdelki so pridobili vedno več priznanj tujih strank in z njimi vzpostavili dolgoročne in kooperativne odnose.Zagotovili bomo najboljšo storitev za vsako stranko in iskreno pozdravljamo prijatelje, da sodelujejo z nami in skupaj vzpostavimo vzajemno korist.

Izmenični filmski kondenzator

Izmenični kondenzator po meri

Kondenzator Dc-Link za sisteme obnovljive energije

Filmski kondenzator za rentgenski detektor

Harmonični resonančni kondenzator

Visokonapetostni kondenzator za Teslovo tuljavo

Visokonapetostni enosmerni kondenzator

Industrijski kondenzatorji naprodaj

Radialni filmski kondenzator

Dušilni filmski kondenzator

Ta proizvajalec lahko nenehno izboljšuje in izpopolnjuje izdelke in storitve, je v skladu s pravili tržne konkurence, konkurenčno podjetje.

Avtor: Agustin iz Bangkoka - 29.9.2017 11:19

Podjetje ima bogate vire, napredne stroje, izkušene delavce in odlične storitve, upam, da boste še naprej izboljševali in izpopolnjevali svoje izdelke in storitve, želimo vam boljše!

Avtor: Nina iz Irana - 2018.12.11 14:13