• bbb

Tovarniško izdelana blažilna zaščita za visoko zmogljive tiristorje - Visokokakovostna zasnova IGBT blažilnega kondenzatorja za aplikacije z visoko močjo – CRE

Kratek opis:


Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Sorodni video

Povratne informacije (2)

Naši dobro opremljeni obrati in upravljanje izjemne kakovosti v vseh fazah proizvodnje nam omogočata, da zagotovimo popolno zadovoljstvo kupcev zaVarilni inverterski enosmerni kondenzator , Filmski kondenzator za pretvornik Abb , Elektronski kondenzator, Zato lahko izpolnimo različna povpraševanja različnih strank.Za več informacij o naših izdelkih poiščite našo spletno stran.
Tovarniško izdelana dušilna enota za visoko zmogljive tiristorje - Visokorazredna zasnova dušilnega kondenzatorja IGBT za aplikacije z visoko močjo - Podrobnosti CRE:

Tehnični podatki

Delovno temperaturno območje Najvišja delovna temperatura, zgoraj, največ: +105 ℃

Temperatura višje kategorije: +85 ℃

Temperatura nižje kategorije: -40 ℃

območje kapacitivnosti 0,1μF~5,6μF
Nazivna napetost 700V.DC~3000V.DC
Cap.tol ±5%(J);±10%(K)
Prenosna napetost 1,5 Un DC/10S
Faktor disipacije tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz

Izolacijska upornost

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (pri 20℃ 100V.DC 60S)

C>0,33μF RS*C≥5000S (pri 20℃ 100V.DC 60S)

Vzdrži udarni tok

glej podatkovni list

Zaviranje gorenja

UL94V-0

Pričakovana življenjska doba

100000h (Un; Θhotspot≤85°C)

Referenčni standard

IEC61071;GB/T17702;

Tabela specifikacij

Napetost Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Dimenzija (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR pri 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0,68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
Napetost Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Dimenzija (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0,68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Napetost Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0,68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
Napetost Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0,33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0,47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0,68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
Napetost Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0,22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0,33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0,47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0,68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
Napetost Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms
0,15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0,33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

Slike podrobnosti izdelka:

Tovarniško izdelana dušilna enota za visoko zmogljiv tiristor - Visokokakovostna zasnova dušilnega kondenzatorja IGBT za aplikacije z visoko močjo - CRE podrobnosti slike

Tovarniško izdelana dušilna enota za visoko zmogljiv tiristor - Visokokakovostna zasnova dušilnega kondenzatorja IGBT za aplikacije z visoko močjo - CRE podrobnosti slike

Tovarniško izdelana dušilna enota za visoko zmogljiv tiristor - Visokokakovostna zasnova dušilnega kondenzatorja IGBT za aplikacije z visoko močjo - CRE podrobnosti slike

Tovarniško izdelana dušilna enota za visoko zmogljiv tiristor - Visokokakovostna zasnova dušilnega kondenzatorja IGBT za aplikacije z visoko močjo - CRE podrobnosti slike


Vodnik po povezanih izdelkih:

Naš namen je običajno zadovoljiti naše kupce s ponudbo zlatega ponudnika, odlične cene in dobre kakovosti za tovarniško izdelane dušilce za visokozmogljive tiristorje - visokorazredna zasnova dušilnikov kondenzatorjev IGBT za aplikacije z visoko močjo – CRE, izdelek bo dobavil vsem po vsem svetu, kot so: Monako, Portugalska, Montreal. Imamo stranke iz več kot 20 držav in naš ugled so prepoznale naše cenjene stranke.Neskončne izboljšave in prizadevanje za 0 % pomanjkanja sta naši glavni politiki kakovosti.Če kar koli potrebujete, ne oklevajte in nas kontaktirajte.
  • Tako strokovnega in odgovornega ponudnika v današnjem času ni lahko najti.Upam, da bomo lahko ohranili dolgoročno sodelovanje. 5 zvezdic Avtor: Maxine iz Miamija - 16.6.2017 18:23
    To podjetje v industriji je močno in konkurenčno, napreduje s časom in se razvija trajnostno, zelo smo veseli, da imamo priložnost sodelovati! 5 zvezdic Avtor: Sara iz Belizeja - 25.6.2017 12:48

    Pošljite nam svoje sporočilo:

    Tukaj napišite svoje sporočilo in nam ga pošljite

    Pošljite nam svoje sporočilo: