• črna ...

Kitajski veleprodajni visokozmogljivi kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - aksialni GTO dušilni kondenzatorji – CRE

Kratek opis:


Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Povezani video

Povratne informacije (2)

Zanašamo se na močno tehnično moč in nenehno ustvarjamo dovršene tehnologije, da bi zadostili povpraševanjuVisokonapetostni elektronski kondenzator , Indukcijski grelni kondenzator z nizko izgubo moči , AC kondenzator za izboljšanje kakovosti in zanesljivosti električne energijeZ eno besedo, ko izberete nas, izberete popolno življenje. Vabljeni k obisku naše tovarne in dobrodošli pri vašem naročilu! Za dodatna vprašanja nas prosimo kontaktirajte.
Kitajski veleprodajni visokozmogljivi kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - aksialni GTO dušilni kondenzatorji – podrobnosti CRE:

Tehnični podatki

Delovno temperaturno območje Maks. delovna temperatura, zgornja, maks.: + 85 ℃ Temperatura zgornje kategorije: + 85 ℃ Temperatura spodnje kategorije: -40 ℃
območje kapacitivnosti 0,1 μF~5,6 μF
Nazivna napetost

630 V enosmerne napetosti ~ 2000 V enosmerne napetosti

Kap.tol

±5 % (J); ±10 % (K)

Odporna napetost

1,5 Un DC/10S

Faktor disipacije

tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz

Izolacijska upornost

C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (pri 20 ℃ 100 V DC 60 S)

C>0,33 μF RS*C≥5000S (pri 20 ℃ 100 V DC 60S)

Odpornost na udarni tok
Pričakovana življenjska doba

100000h (Un; Θhotspot≤85°C)

Referenčni standard

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Uporaba

1. IGBT dušilec.

2. Široko se uporablja v energetski elektronski opremi, ko je najvišja napetost in zaščita pred absorpcijo najvišjega toka.

Risba obrisa

 

1

 

 

 

 

Aksialni kondenzator SMJ-TE
Napetost Un630V DC; Urms400Vac; Us 945V
Kapaciteta (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR pri 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,22 32 9,5 17,5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6,5
0,47 32 14,5 22,5 1 11 21 220 103,4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122,4 9,5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7,6
1,5 37 13,5 21,5 1 7 27 150 225 9,5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2,5 37 18 26 1.2 5,5 25 120 300 10,5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10,8
3.3 37 21 29 1.2 4,5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12,8
4,7 57 28 40,5 1.2 3,8 32 200 940 13,8
5.6 57 31 33,5 1.2 3,5 32 185 1036 13,5
6,8 37 29 41,5 1.2 2,5 28 100 680 13,8
6,8 57 34 46,5 1.2 2,8 30 180 1224 14.2

 

Napetost Un 1000 V DC; Urms 500 V AC; Us 1500 V
Kapaciteta (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR pri 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,15 32 10 17,5 0,8 20 20 1100 165 5,5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15,5 23 1 13 21 1000 330 8,7
0,47 32 18,5 26 1.2 10 23 1000 470 10,5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9,5
0,68 32 20 32,5 1.2 7 25 900 612 10,8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21,5 29,5 1.2 5.6 27 900 900 11
1,5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1,5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4,8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33,5 1.2 4,8 32 600 1200 12,8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13,8
2.2 57 25 34,5 1.2 4.2 32 500 1100 13,5
2,5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3,5 34 480 1440 15,6
3.3 57 29,5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16,5
3,5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4,7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 17,8
5.6 57 38,5 65 1.2 2,8 38 400 2240 18.2

 

Napetost Un 1200 V DC; Urms 550 V AC; Us 1800 V
Kapaciteta (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR pri 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,1 32 8,5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17,5 1 18 20 1200 180 7,5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17,5 30 1.2 10 23 1200 564 9,5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9,8
0,68 32 21,5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18,5 26,5 1.2 6 27 1000 680 11,7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12,4
1,5 44 26,5 39 1.2 5 30 950 1425 13,5
1,5 57 22,5 30,5 1.2 5 29 900 1350 12,6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26,5 34,5 1.2 4,8 30 750 1500 13,8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14,5
2.2 57 27,5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 14,5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17,8
4,7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 18.2

 

Napetost Un 1700 V DC; Urms 600 V AC; Us 2550 V
Kapaciteta (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR pri 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,1 32 9,5 17,5 0,8 18 25 1300 130 7,5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8,5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18,5 26,5 1 12 22 1200 396 9,9
0,33 44 13,5 21,5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11,7
1 44 24 33,5 1.2 5.6 26 900 900 12,4
1 57 19,5 27,5 1.2 6 33 850 850 10,8
1,5 44 28 40,5 1.2 4,8 25 800 1200 13,5
1,5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13,5
2 44 31,5 47 1.2 4,5 24 750 1500 14.2
2 57 27,5 37 1.2 4,8 32 650 1300 12,8
2.2 44 33,5 49 1.2 4,5 34 700 1540 15,6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14,5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 17,6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 18.2

 

Napetost Un 2000 V DC; Urms 700 V AC; Us 3000 V
Kapaciteta (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR pri 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6,9
0,1 32 11,5 19,5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10,5 18,5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17,5 25,5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9,5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19,5 32 1.2 10 29 1100 517 12,4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18,5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23,5 36 1.2 6 31 950 950 14,5
1,5 57 29,5 42 1.2 5 31 850 1275 14,5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16,5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 17,8

 

Napetost Un 3000 V DC; Urms 750 V AC; Us 4500 V
Kapaciteta (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR pri 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,047 44 13,5 21,5 1 22 20 2000 94 8,5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 122,4 10,5
0,1 44 20,5 28,5 1.2 18 20 1500 150 12,4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202,5 13,8
0,22 44 29 41,5 1.2 14,5 22 1200 264 14,5

Slike s podrobnostmi o izdelku:

Kitajski veleprodajni visokozmogljivi kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - aksialni GTO dušilni kondenzatorji – podrobne slike CRE

Kitajski veleprodajni visokozmogljivi kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - aksialni GTO dušilni kondenzatorji – podrobne slike CRE

Kitajski veleprodajni visokozmogljivi kondenzatorji za filtriranje izmeničnega toka - aksialni GTO dušilni kondenzatorji – podrobne slike CRE


Vodnik po povezanih izdelkih:

Dobro vodene naprave, strokovna skupina za dobiček in boljša poprodajna podjetja; Smo tudi enotna velika družina, vsi nadaljujemo z organizacijo, vredno "poenotenja, odločnosti, tolerance" za kitajske veleprodajne visokozmogljive kondenzatorje za filtriranje izmeničnega toka - aksialne GTO dušilne kondenzatorje – CRE. Izdelek bo dobavljen po vsem svetu, kot so: Estonija, Avstralija, Moldavija. Vsi naši izdelki so skladni z mednarodnimi standardi kakovosti in so zelo cenjeni na različnih trgih po vsem svetu. Če vas zanima kateri koli od naših izdelkov ali bi se radi pogovorili o naročilu po meri, nas prosim kontaktirajte. Veselimo se vzpostavitve uspešnih poslovnih odnosov z novimi strankami v bližnji prihodnosti.
  • Smo majhno podjetje, ki je šele začelo delovati, vendar smo pritegnili pozornost vodstva podjetja in nam je nudilo veliko pomoči. Upamo, da bomo skupaj napredovali! 5 zvezdic Napisala Amy iz Sydneyja - 28. 9. 2017 18:29
    Tehnično osebje tovarne nima le visoke ravni tehnologije, ampak je tudi zelo dobro znalo angleščino, kar je v veliko pomoč pri komunikaciji na področju tehnologije. 5 zvezdic Avtor: Jean Ascher iz Norveške - 2018.09.21 11:44

    Pošljite nam svoje sporočilo:

    Napišite svoje sporočilo tukaj in nam ga pošljite

    Pošljite nam svoje sporočilo: