Aksialni GTO dušilni kondenzatorji

Kratek opis:

Ti kondenzatorji so primerni za prenašanje močnih tokovnih impulzov, ki se običajno pojavljajo pri zaščiti GTO. Aksialne povezave omogočajo zmanjšanje serijske induktivnosti in zagotavljajo močno mehansko pritrditev, zanesljiv električni stik in dobro odvajanje toplote, ki nastane med delovanjem.

Pošljite nam e-pošto Prenesi kot PDF

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Tehnični podatki

Delovno temperaturno območje	-40 ℃ do +85 ℃
območje kapacitivnosti	0,1 μF～5,6 μF
Nazivna napetost	630 V enosmerne napetosti ~ 2000 V enosmerne napetosti
Kap.tol	±5 % (J); ±10 % (K)
Odporna napetost	1,5 Un DC/10S
Faktor disipacije	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Izolacijska upornost	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (pri 20 ℃ 100 V DC 60 S) C＞0,33 μF RS*C≥5000S (pri 20 ℃ 100 V DC 60S)
Odpornost na udarni tok	glejte podatkovni list
Pričakovana življenjska doba	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Referenčni standard	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Uporaba

1. IGBT dušilec, GTO dušilec

2. Široko se uporablja v energetski elektronski opremi, ko je najvišja napetost in zaščita pred absorpcijo najvišjega toka.

Risba obrisa

Aksialni kondenzator SMJ-TE
Napetost		Un630V DC; Urms400Vac; Us 945V
Kapaciteta (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,22	32	9,5	17,5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6,5
0,47	32	14,5	22,5	1	11	21	220	103,4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122,4	9,5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7,6
1,5	37	13,5	21,5	1	7	27	150	225	9,5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2,5	37	18	26	1.2	5,5	25	120	300	10,5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10,8
3.3	37	21	29	1.2	4,5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12,8
4,7	57	28	40,5	1.2	3,8	32	200	940	13,8
5.6	57	31	33,5	1.2	3,5	32	185	1036	13,5
6,8	37	29	41,5	1.2	2,5	28	100	680	13,8
6,8	57	34	46,5	1.2	2,8	30	180	1224	14.2
Napetost		Un 1000 V DC; Urms 500 V AC; Us 1500 V
Kapaciteta (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,15	32	10	17,5	0,8	20	20	1100	165	5,5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15,5	23	1	13	21	1000	330	8,7
0,47	32	18,5	26	1.2	10	23	1000	470	10,5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9,5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10,8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21,5	29,5	1.2	5.6	27	900	900	11
1,5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1,5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4,8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4,8	32	600	1200	12,8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320	13,8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13,5
2,5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3,5	34	480	1440	15,6
3.3	57	29,5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16,5
3,5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4,7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974	17,8
5.6	57	38,5	65	1.2	2,8	38	400	2240	18.2
Napetost		Un 1200 V DC; Urms 550 V AC; Us 1800 V
Kapaciteta (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,1	32	8,5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17,5	1	18	20	1200	180	7,5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17,5	30	1.2	10	23	1200	564	9,5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9,8
0,68	32	21,5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18,5	26,5	1.2	6	27	1000	680	11,7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12,4
1,5	44	26,5	39	1.2	5	30	950	1425	13,5
1,5	57	22,5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12,6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26,5	34,5	1.2	4,8	30	750	1500	13,8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14,5
2.2	57	27,5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540	14,5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17,8
4,7	57	38	53,5	1.2	3	38	420	1974	18.2
Napetost		Un 1700 V DC; Urms 600 V AC; Us 2550 V
Kapaciteta (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,1	32	9,5	17,5	0,8	18	25	1300	130	7,5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8,5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18,5	26,5	1	12	22	1200	396	9,9
0,33	44	13,5	21,5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11,7
1	44	24	33,5	1.2	5.6	26	900	900	12,4
1	57	19,5	27,5	1.2	6	33	850	850	10,8
1,5	44	28	40,5	1.2	4,8	25	800	1200	13,5
1,5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13,5
2	44	31,5	47	1.2	4,5	24	750	1500	14.2
2	57	27,5	37	1.2	4,8	32	650	1300	12,8
2.2	44	33,5	49	1.2	4,5	34	700	1540	15,6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14,5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650	17,6
4	57	37	52,5	1.2	3	28	450	1800	18.2
Napetost		Un 2000 V DC; Urms 700 V AC; Us 3000 V
Kapaciteta (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6,9
0,1	32	11,5	19,5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10,5	18,5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17,5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412,5	9,5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19,5	32	1.2	10	29	1100	517	12,4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18,5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23,5	36	1.2	6	31	950	950	14,5
1,5	57	29,5	42	1.2	5	31	850	1275	14,5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16,5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540	17,8
Napetost		Un 3000 V DC; Urms 750 V AC; Us 4500 V
Kapaciteta (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 25℃ pri 100 kHz (A)
0,047	44	13,5	21,5	1	22	20	2000	94	8,5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800	122,4	10,5
0,1	44	20,5	28,5	1.2	18	20	1500	150	12,4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202,5	13,8
0,22	44	29	41,5	1.2	14,5	22	1200	264	14,5